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Infineon Technologies (WKN 623100) Anbieter von Chipsätzen für drahtlose Applikationen, stellte heute in München ein neues Leistungsverstärker-Modul für Mobiltelefone in 900-, 1800- und 1900-MHz-Netzwerken vor, melden die Experten von de.internet.
Das neue Bauteil ermögliche den Anwendern das Roaming zwischen GSM-, PCN- und PCS-Netzwerken. Mit dem LTCC- Leistungsverstärker (Low Temperature Co-fired Ceramics) CGM20GTriB wolle Infineon seine Position als Anbieter von HF-Halbleitern für den Telekommunikationsmarkt ausbauen.
Ewald Pettenpaul, General Manager und Vice President des Geschäftsfeldes Gallium-Arsenid bei Infineon Technologies habe gesagt: "Um der steigenden Nachfrage nach den GaAs-Leistungsverstärker-Modulen gerecht zu werden, haben wir unsere Backend Fertigungskapazitäten in Regensburg weiter ausgebaut." Das Triple-Band-LTCC-Modul basiere auf der GaAs-MESFET (MEtal Semiconductor Field-Effect Transistor)-Technologie von Infineon und verspreche eine hohe Zuverlässigkeit.
Der CGM20GTriB basiere auf dem CGM20G, einem Dual-Band-GSM/PCN-Leistungsverstärker-Modul entsprechend GPRS Class 12. Das CGM20G unterstütze maximale Datenraten von 57,6 kbit/s (up-link), das heiße die Datenrate sei etwa viermal so hoch wie bei Standard-GSM-Telefonen (14,4 kbit/s). Sie sei damit ebenfalls höher als bei analogen Standard-Modems und könne einen Durchbruch für die WAP-Technologie darstellen. Die neuen Leistungsverstärker-Module CGM20TriB seien in Volumenstückzahlen ab Mitte 2001 verfügbar. Muster würden bereits heute zur Verfügung stehen.
Das neue Bauteil ermögliche den Anwendern das Roaming zwischen GSM-, PCN- und PCS-Netzwerken. Mit dem LTCC- Leistungsverstärker (Low Temperature Co-fired Ceramics) CGM20GTriB wolle Infineon seine Position als Anbieter von HF-Halbleitern für den Telekommunikationsmarkt ausbauen.
Ewald Pettenpaul, General Manager und Vice President des Geschäftsfeldes Gallium-Arsenid bei Infineon Technologies habe gesagt: "Um der steigenden Nachfrage nach den GaAs-Leistungsverstärker-Modulen gerecht zu werden, haben wir unsere Backend Fertigungskapazitäten in Regensburg weiter ausgebaut." Das Triple-Band-LTCC-Modul basiere auf der GaAs-MESFET (MEtal Semiconductor Field-Effect Transistor)-Technologie von Infineon und verspreche eine hohe Zuverlässigkeit.
Der CGM20GTriB basiere auf dem CGM20G, einem Dual-Band-GSM/PCN-Leistungsverstärker-Modul entsprechend GPRS Class 12. Das CGM20G unterstütze maximale Datenraten von 57,6 kbit/s (up-link), das heiße die Datenrate sei etwa viermal so hoch wie bei Standard-GSM-Telefonen (14,4 kbit/s). Sie sei damit ebenfalls höher als bei analogen Standard-Modems und könne einen Durchbruch für die WAP-Technologie darstellen. Die neuen Leistungsverstärker-Module CGM20TriB seien in Volumenstückzahlen ab Mitte 2001 verfügbar. Muster würden bereits heute zur Verfügung stehen.
Aktuelle Kursinformationen mehr >
| Kurs | Vortag | Veränderung | Datum/Zeit | |
| 53,23 € | 53,79 € | -0,56 € | -1,04% | 28.04./08:21 |
| ISIN | WKN | Jahreshoch | Jahrestief | |
| DE0006231004 | 623100 | 55,40 € | 28,23 € | |
Werte im Artikel
| Handelsplatz | Letzter | Veränderung | Zeit |
|
|
53,23 € | -1,04% | 08:21 |
| Düsseldorf | 54,84 € | +0,98% | 27.04.26 |
| Frankfurt | 53,30 € | -0,73% | 08:00 |
| Nasdaq OTC Other | 63,00 $ | -0,79% | 27.04.26 |
| Stuttgart | 53,30 € | -0,87% | 08:05 |
| Xetra | 53,60 € | -1,02% | 27.04.26 |
| Hannover | 53,74 € | -1,12% | 27.04.26 |
| München | 53,28 € | -1,84% | 27.04.26 |
| Hamburg | 53,27 € | -1,86% | 27.04.26 |
= Realtime
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