AIXTRON präsentiert neue G10-GaN für die Leistungselektronik
Die Anlage bietet die beste Performance ihrer Klasse und ein kompaktes Cluster für die Großserienfertigung von GaN-basierten Leistungs- und HF-Bauelementen.
Herzogenrath, 06. September 2023 – AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) bringt eine neue Cluster-Lösung für die Herstellung von Leistungs- und Hochfrequenz (HF)-Bauelementen auf Basis von Galliumnitrid (GaN) auf den Markt. Die G10-GaN und ihre innovativen Features stellt der führende Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie gerade auf der SEMICON Taiwan (6.-8. September 2023) in Taipeh vor. Die neue Plattform bietet die beste Performance ihrer Klasse, ein völlig neues kompaktes Design und insgesamt niedrigste Kosten pro Wafer.
„Wir sind stolz darauf, dass unsere neue G10-GaN-Plattform bereits von einem führenden US-Produzenten für die Serienproduktion von GaN basierter Leistungselektronik qualifiziert wurde. Diese neue Anlagengeneration bietet gegenüber unserer früheren, bereits sehr guten Lösung – im Verhältnis zur Fläche im Reinraum – eine doppelte Produktivität. Dabei ermöglicht sie gleichzeitig ein neues Maß an Uniformität, was unseren Kunden große Wettbewerbsvorteile verschafft", sagt Dr. Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender der AIXTRON SE und erklärt die Bedeutung von GaN-basierten Technologien: "Wir leben in sehr aufregenden Zeiten, denn GaN Power-Bauelemente spielen eine wichtige Rolle, die weltweiten CO2-Emissionen wesentlich zu reduzieren. Sie bieten eine deutlich effizientere Leistungsumwandlung als herkömmliche Silizium (Si)-Bauelemente. Damit verringern sie die Verluste um den Faktor zwei bis drei. Wir gehen davon aus, dass dieser Markt bis zum Ende des Jahrzehnts und darüber hinaus um den Faktor von bis zu zehn wachsen wird. Bereits heute hat GaN bei Schnelllade-Netzteilen für Mobilgeräte klassisches Silizium ersetzt, und wir sehen eine steigende Nachfrage für Anwendungen in weltweiten Rechenzentren oder bei Solaranlagen.“
AIXTRON leistet seit mehr als 20 Jahren Pionierarbeit bei GaN auf Si Prozessen und bei der Entwicklung der entsprechenden Hardware. Der bisherige AIX G5+ C-Planetenreaktor war Dank In-Situ-Reinigung und Kassette-zu-Kassette-Automatisierung die erste vollautomatische GaN-MOCVD-Anlage ihrer Art und hat sich schnell zur Referenzanlage der GaN-Industrie entwickelt. Die neue G10-GaN Cluster Lösung baut auf diesem Marktführer auf und hebt dabei jede einzelne Leistungskennzahl auf die nächste Stufe.
Die Plattform verfügt über ein neues kompaktes Layout, um die Reinraumfläche bestmöglich ausnutzen zu können. Neuartige Reaktorkomponenten verbessern die Materialhomogenität um den Faktor zwei, was eine optimale Ausbeute ermöglicht. Die On-Board-Sensoren werden durch eine neue Software-Suite und Fingerprint-Lösungen ergänzt, um sicherzustellen, dass das System zwischen den Wartungsarbeiten an allen Prozessmodulen stets die gleiche Leistung erbringt. Das wiederum verlängert die verfügbare Betriebszeit im Vergleich zur vorherigen Generation um mehr als 5 Prozent.
Das Cluster kann mit bis zu drei Prozessmodulen ausgestattet werden: Dank Planeten-Batch-Reaktor-Technologie kommt die G10-GaN damit auf eine Rekordkapazität von 15x200mm Wafern, was eine Kostenreduzierung von 25 Prozent pro Wafer im Vergleich zu früheren Produkten ermöglicht.
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