AIXTRON erreicht Produktivitätsziele mit neuem Anlagentyp G5
22.02.10 09:44
aktiencheck.de
Aachen (aktiencheck.de AG) - Der Technologiekonzern AIXTRON AG (ISIN DE000A0WMPJ6 / WKN A0WMPJ) hat seine ehrgeizigen Produktivitätsziele bei Epistar mit dem neuen AIXTRON-Anlagentyp G5 erreicht.
Wie der im TecDAX notierte Konzern am Montag erklärte, erreicht die neue Anlagen-Generation AIX G5 HT ausgezeichnete Depositionsraten von über 6 µm/h mit exzellenter GaN/InGaN-Homogenität bei einem Reaktordruck höher 600 mbar, ohne Ausheizen der Beschichtungskammer und ohne Austauschen der Teile. Das taiwanesische Unternehmen Epistar hat die Epitaxie mit der neu eingeführten MOCVD-Anlage durchgeführt, die jetzt für den Betrieb in der Massenproduktion vorbereitet wird.
Die neue AIX G5 HT-Plattform erreicht die größte kommerziell verfügbare Waferkapazität von 56x2-Zoll / 14x4-Zoll / 8x6-Zoll. Neuerungen beim Anlagendesign erlauben zudem hohe Wachstumsraten und aufeinander folgende Produktionsläufe ohne Ausheizen des Reaktors oder Austauschen von Reaktorteilen. Verglichen mit Vorgänger-Systemen konnte der Durchsatz bei gleichzeitig hoher Qualität mehr als verdoppelt werden, hieß es weiter.
Die Aktie von AIXTRON notiert aktuell mit einem Plus von 2,37 Prozent bei 23,56 Euro. (22.02.2010/ac/n/t)
Wie der im TecDAX notierte Konzern am Montag erklärte, erreicht die neue Anlagen-Generation AIX G5 HT ausgezeichnete Depositionsraten von über 6 µm/h mit exzellenter GaN/InGaN-Homogenität bei einem Reaktordruck höher 600 mbar, ohne Ausheizen der Beschichtungskammer und ohne Austauschen der Teile. Das taiwanesische Unternehmen Epistar hat die Epitaxie mit der neu eingeführten MOCVD-Anlage durchgeführt, die jetzt für den Betrieb in der Massenproduktion vorbereitet wird.
Die Aktie von AIXTRON notiert aktuell mit einem Plus von 2,37 Prozent bei 23,56 Euro. (22.02.2010/ac/n/t)
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